便攜式相控陣試塊護(hù)環(huán)探傷專用試塊
簡(jiǎn)要描述:產(chǎn)品型號(hào)和價(jià)格A型護(hù)環(huán)試塊(20#鋼) 3750B型護(hù)環(huán)試塊(20#鋼) 4450A型(鋁、不銹鋼) 4400B型(鋁、不銹鋼) 5100A型翻轉(zhuǎn)架 400B型固定支架 180便攜式相控陣試塊護(hù)環(huán)探傷專用試塊
- 產(chǎn)品型號(hào):A型B型
- 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間:2022-07-15
- 訪 問(wèn) 量:1152
便攜式相控陣試塊是國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)試塊:
A型便攜式相控陣試塊,B型便攜式相控陣試塊是國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)試塊,符合ASTM E 2491-08標(biāo)準(zhǔn)
一、相控陣探頭晶片靈敏度差異與有效性測(cè)試
1、一般要求:該項(xiàng)測(cè)試要求儀器軟件能夠?qū)ο嗫仃囂筋^的每個(gè)晶片進(jìn)行逐一激發(fā)。
2、測(cè)試方法:
2.1將相控陣探頭均勻穩(wěn)定地耦合在角度增益修正試塊(或等效試塊)表面,單獨(dú)激發(fā)一個(gè)晶片,得到高反射回波。
2.2調(diào)節(jié)增益值使晶片回波達(dá)到80%滿屏高度,記錄此時(shí)的增益值。
2.3單獨(dú)激發(fā)下一個(gè)晶片,并重復(fù)B22,直至last個(gè)晶片(沿著陣列中所有陣元一次一個(gè)陣元步進(jìn))。
3、判斷:如出現(xiàn)以下情況,認(rèn)定為晶片為壞晶片:
a) 未見(jiàn)底面回波信號(hào)的晶片;
b) 有底面回波信號(hào)但信噪比小于12dB的晶片:
c)同一陣列中靈敏度明顯偏低,比其他晶片的平均靈敏度低9dB以上的晶片。
B.4對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行復(fù)核
二、背景技術(shù):護(hù)環(huán)是發(fā)電機(jī)的重要組成部分,是發(fā)電機(jī)中承受應(yīng)力最高的部件之一,是用以固定和保護(hù)纏繞在發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子兩端線圈的大型鋼環(huán)。護(hù)環(huán)材料多采用奧氏體無(wú)磁鋼整體鍛造而成。處于運(yùn)行工況中的發(fā)電機(jī)護(hù)環(huán),不僅承受旋轉(zhuǎn)應(yīng)力、離心力、配合應(yīng)力等應(yīng)力作用,還伴隨著應(yīng)力腐蝕及電燒傷等因素,因此護(hù)環(huán)的嵌裝面、緊力面r角部位極易誘發(fā)裂紋類缺陷,如不能及時(shí)檢測(cè)出缺陷的存在,將危及設(shè)備的安全運(yùn)行。相控陣超聲縱波檢測(cè)與常規(guī)a型脈沖超聲波檢測(cè)相比,具有多種顯示模式,聲束角度范圍大且能聚焦到重點(diǎn)檢測(cè)部位,檢測(cè)圖譜可存儲(chǔ)等優(yōu)點(diǎn),在復(fù)雜缺陷的判斷等方面具有顯著技術(shù)優(yōu)勢(shì)。但現(xiàn)在沒(méi)有專門(mén)的發(fā)電機(jī)護(hù)環(huán)相控陣超聲檢測(cè)用試塊。因此開(kāi)發(fā)一種發(fā)電機(jī)護(hù)環(huán)相控陣超聲檢測(cè)用試塊,可有助于大幅提高發(fā)電機(jī)護(hù)環(huán)裂紋相控陣超聲檢測(cè)的準(zhǔn)確性和可靠性。
三、技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),提供了一種發(fā)電機(jī)護(hù)環(huán)相控陣超聲檢測(cè)用試塊,該試塊能夠有助于提高發(fā)電機(jī)護(hù)環(huán)裂紋相控陣超聲檢測(cè)的準(zhǔn)確性及可靠性。為達(dá)到上述目的,本發(fā)明所述的發(fā)電機(jī)護(hù)環(huán)相控陣超聲檢測(cè)用試塊包括奧氏體無(wú)磁鋼塊。
四、具體應(yīng)用過(guò)程為:
1)將相控陣探頭9與相控陣超聲檢測(cè)儀8相連接;
2)將相控陣探頭9放置于本發(fā)明上,并使得相控陣探頭9依次對(duì)準(zhǔn)第一橫通孔2、第二橫通孔3、第三橫通孔4、第四橫通孔5及第五橫通孔6,然后微調(diào)相控陣探頭9的位置,使橫通孔的超聲反射波幅最大,同時(shí)調(diào)節(jié)增益,使得該超聲反射波幅為滿屏刻度的80%,使不同深度、不同角度下φ1mm橫通孔反射回波波幅均達(dá)到滿屏的80%,以繪制時(shí)間增益修正曲線;
3)分別確定超聲縱波檢測(cè)和超聲橫波檢測(cè)時(shí)的檢測(cè)靈敏度及判廢線;
4)通過(guò)相控陣探頭9對(duì)待檢測(cè)發(fā)電機(jī)護(hù)環(huán)7進(jìn)行檢測(cè),并將檢測(cè)的結(jié)果與時(shí)間增益修正曲線進(jìn)行比較,并根據(jù)比較結(jié)果依據(jù)掃查靈敏度及判廢線判斷缺陷的程度,即根據(jù)檢測(cè)結(jié)果獲取當(dāng)前缺陷對(duì)應(yīng)的反射波幅,并根據(jù)所述反射波幅判斷缺陷的程度。
五、技術(shù)特征:
1.一種發(fā)電機(jī)護(hù)環(huán)相控陣超聲檢測(cè)用試塊,其特征在于,包括奧氏體無(wú)磁鋼塊(1),奧氏體無(wú)磁鋼(1)上設(shè)置有第一橫通孔(2)、第二橫通孔(3)、第三橫通孔(4)、第四橫通孔(5)及第五橫通孔(6),其中,第一橫通孔(2)、第二橫通孔(3)、第三橫通孔(4)、第四橫通孔(5)及第五橫通孔(6)自上到下依次分布,且第一橫通孔(2)、第二橫通孔(3)、第三橫通孔(4)、第四橫通孔(5)及第五橫通孔(6)在垂直方向上等間距分布,第一橫通孔(2)、第二橫通孔(3)、第三橫通孔(4)、第四橫通孔(5)及第五橫通孔(6)在水平向上等間距且依次分布。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)電機(jī)護(hù)環(huán)相控陣超聲檢測(cè)用試塊,其特征在于,第一橫通孔(2)、第二橫通孔(3)、第三橫通孔(4)、第四橫通孔(5)及第五橫通孔(6)與奧氏體無(wú)磁鋼塊(1)端部之間的距離不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)電機(jī)護(hù)環(huán)相控陣超聲檢測(cè)用試塊,其特征在于,奧氏體無(wú)磁鋼塊(1)的長(zhǎng)度、寬度及高度分別為300mm、40mm及120mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)電機(jī)護(hù)環(huán)相控陣超聲檢測(cè)用試塊,其特征在于,第一橫通孔(2)、第二橫通孔(3)、第三橫通孔(4)、第四橫通孔(5)及第五橫通孔(6)的孔徑均為1mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)電機(jī)護(hù)環(huán)相控陣超聲檢測(cè)用試塊,其特征在于,第一橫通孔(2)、第二橫通孔(3)、第三橫通孔(4)、第四橫通孔(5)及第五橫通孔(6)的長(zhǎng)度均為40mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)電機(jī)護(hù)環(huán)相控陣超聲檢測(cè)用試塊,其特征在于,奧氏體無(wú)磁鋼塊(1)的端面與第一橫通孔(2)、第二橫通孔(3)、第三橫通孔(4)、第四橫通孔(5)及第五橫通孔(6)之間在垂直方向的距離分別為60mm、70mm、80mm、90mm及100mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)電機(jī)護(hù)環(huán)相控陣超聲檢測(cè)用試塊,其特征在于,奧氏體無(wú)磁鋼塊(1)的端面與第一橫通孔(2)、第二橫通孔(3)、第三橫通孔(4)、第四橫通孔(5)及第五橫通孔(6)之間在水平方向的距離分別為50mm、100mm、150mm、200mm及250mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)電機(jī)護(hù)環(huán)相控陣超聲檢測(cè)用試塊,其特征在于,奧氏體無(wú)磁鋼塊(1)的材質(zhì)為mn18cr18n系或mn18cr5系。
便攜式相控陣試塊是國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)試塊